Un transistor de unión bipolar consiste en un colector, emisor y la base. Un gran porcentaje de la corriente entra en el terminal del colector, pasa a través de la región de base y las salidas desde el emisor. Un porcentaje más pequeño de la corriente entra en la región de base y sale a través del emisor. El colector de corriente aumenta ligeramente con un aumento de la tensión. Esta ligera dependencia de la tensión de colector de corriente de colector se llama el "efecto temprano." La tensión temprana es la distancia entre un punto seleccionado en la curva característica IV y la intersección de la tangente y el eje horizontal.
Determinar la carga de portadores mayoritarios en la base o "Qb" por medio de la fórmula : Qb = q
AC Hotel Nb * wb donde "wb" es la anchura de la base cuasi-neutrales, "Ac" es el área del colector, "NB" es la base y el dopaje "q" es la magnitud de electricidad carga del electrón. Dopaje introduce electrones o agujeros en la red cristalina de silicio que a su vez introduce la carga móvil. Un aumento en los niveles de dopaje aumenta la conductividad. Un ancho de base más estrecha indica un gradiente de carga más grande y un aumento de la corriente de colector.
Se divide el valor obtenido para "Qb" con la capacitancia colector base para obtener el valor de "Va" o la tensión preliminar utilizando la fórmula: Va = Qb /Cj, ac. "Cj, BC" es la capacidad de la unión colector base. A principios de voltaje oscila entre 15 y 150 voltios, dependiendo del tipo de dispositivo.
Medir la distancia entre un punto sobre la I (corriente de colector) (tensión colector-emisor) -V curva característica y la intersección de su tangente con el eje horizontal para calcular gráficamente el valor de voltaje Early.
